Les rayonnements ionisants provoquent des perturbations au sein des composants appelées événements singuliers (Single Event Effect). Il est possible de reproduire la composante électrique de ces phénomènes à l’aide d’un laser impulsionnel injectant localement et soudainement des charges au sein des structures actives du composant. La corrélation avec la position du laser permet la cartographie des zones sensible du silicium.

Génération de charges par effet photoélectrique dans un semi-conducteur

Stimulation

asynchrone

Cartographie des zones sensibles aux Latch-up
sur un ADC

Stimulation

synchrone

Visualisation des sensibilités pour 2 états de
synchronisation différents

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